光亮退火炉一般是基于钨管加热元件，加热速度快，使用S型热电偶和国际领先的模糊PID控制，高温精度<±5℃>，光亮退火炉真空装置，可以工作在各种气氛。大大增加了它的使用范围。标准配备
件需支付高温手套，热电偶，石英管，真空法兰1组。可选配件：氧化铝坩埚，石英坩埚，真空泵。
        光亮退火炉是一个现代化的LSI生产过程中的关键设备。主要用于激活的杂质离子注入，制作浅结，生长高质量的氧化物层和金属硅化物合金的形成过程。随着退火，光亮退火炉系统技术开展研究集成电路技术的飞速发展，国内发展和研究具有自主知识产权的光亮退火设备，具有非常重要的理论意义和工程应用价值。
        通过深入分析，制定利用光辐射热源设备，上下两管排列在正交群半导体晶片之间的直接加热实现快速温升在单点温度的温度测量系统整体解决方案计划。根据热传导的基本理论，以实现整个系统的规格为已知的参数，计算所要求的系统的基础上实现的热源和反应室的热功率，冷却系统，空气供给系统，组件而设计的。通过分析晶圆表面温度的边缘效应的影响，提出了灯设计分区和控制方案来实现硅片表面温度均匀;通过非接触温度测量原理分析，完成选择光学高温计，测量温度和温度校正方案的设计，实施，精确的温度测量，温度控制系统的基于模型的设计，确保温度控制的精度和稳定性，晶圆传送的功能要求在分析中，传输系统的过程的设计，实施，系统的效率和传质薄片的高可靠性的基础上完成的;控制系统的功能设计，主控制程序流程，实现全自动化机器的整体结构和设计，确保该系统具有较高的自动化水平，控制和管理功能强大，操作方便，可靠性高，可以很好地适应光亮退火炉全自动控制系统的要求。